2012年度太阳能光电建筑应用示范项目下发通知,

作者:政策落实

(2008年8月1日国家林业局令第25号公布 自2008年10月1日起施行) 第一章 总 则 第一条 为了规范林业行政许可听证程序,根据《中华人民共和国行政许可法》和国家有关规定,制定本办法。 第二条 县级以上人民政府林业主管部门举行林业行政许可听证,适用本办法。 第三条 举行林业行政许可听证,应当遵循公开、公平、公正的原则。 第四条 林业行政许可听证工作,由林业主管部门法制工作机构负责。第二章 听证范围 第五条 法律、法规、规章规定实施林业行政许可应当听证的事项,或者林业主管部门认为需要听证的其他涉及公共利益的重大林业行政许可事项,应当向社会公告,并举行听证。 第六条 直接涉及申请人与他人之间重大利益关系的林业行政许可事项,林业行政许可申请人、利害关系人提出听证申请的,林业主管部门应当举行听证。第三章 听证人员和听证参加人 第七条 听证人员包括:听证主持人、听证员和记录员。 听证主持人,由林业主管部门法制工作机构工作人员担任。 听证员和记录员由听证主持人指定。 第八条 听证参加人包括:林业行政许可事项的审查人员、申请人和利害关系人。 第九条 听证主持人履行下列职责: 审查听证参加人的资格; 针对听证事项进行询问; 核实听证笔录。 第十条 听证人员应当维护听证参加人的陈述、申辩和质证权利,保守听证事项涉及的国家秘密和商业秘密。 第十一条 听证主持人与林业行政许可事项有直接利害关系的,应当主动回避。申请人、利害关系人认为听证主持人与林业行政许可事项有直接利害关系的,有权申请回避。 听证主持人的回避由林业主管部门负责人决定。 第十二条 申请人和利害关系人享有下列权利: 委托代理人参加听证; 针对听证事项进行陈述、申辩和质证; 确认听证笔录。 第十三条 林业行政许可事项的审查人员,在听证时应当提供审查意见的依据、理由,并进行陈述、申辩和质证。第四章 听证程序 第十四条 林业主管部门按照本办法第五条规定举行林业行政许可听证的,应当于举行听证会的二十日前向社会公告。 公告内容包括:听证事项、时间、地点和听证参加人的产生方式等。 第十五条 林业主管部门在作出本办法第六条规定的林业行政许可决定前,应当告知申请人、利害关系人享有要求听证的权利,并送达林业行政许可听证申请权利告知书。 第十六条 申请人、利害关系人要求听证的,应当在收到林业行政许可听证申请权利告知书之日起五日内提出听证申请。 第十七条 林业主管部门应当在收到听证申请之日起二十日内组织听证。 第十八条 林业主管部门应当于举行听证会的七日前向听证参加人送达林业行政许可听证通知书。 第十九条 听证会应当公开举行,但涉及国家秘密和商业秘密的除外。 第二十条 申请人、利害关系人申请听证主持人回避的,应当于举行听证会三日前提出,并说明理由。 第二十一条 听证会按照下列程序进行: 听证主持人宣读听证事由、听证人员和听证参加人名单,并宣布听证会开始; 林业行政许可事项的审查人员进行陈述; 听证参加人进行申辩、质证; 听证主持人宣布听证会结束。 第二十二条 听证会应当制作听证笔录。听证笔录应当载明下列内容: 听证人员和听证参加人; 听证参加人进行陈述、申辩和质证的情况; 其他事项。 听证笔录由听证主持人核实、听证参加人确认后签字或者盖章。 第二十三条 林业主管部门应当根据听证笔录,作出林业行政许可决定。第五章 附 则 第二十四条 林业主管部门举行听证,不得向申请人、利害关系人收取任何费用。 第二十五条 本办法自2008年10月1日起施行。

太阳gg,第三章监测 第十七条耕地质量监测是通过定点调查、田间试验、样品采集、分析化验、数据分析等工作,对耕地土壤理化性状、养分状况等质量变化开展的动态监测。 第十八条以农业部耕地质量监测机构和地方耕地质量监测机构为主体,以相关科研教学单位的耕地质量监测站为补充,构建覆盖面广、代表性强、功能完备的国家耕地质量监测网络。 第十九条农业部根据全国主要耕地土壤亚类、行政区划和农业生产布局建设耕地质量区域监测站。 耕地质量区域监测站负责土壤样品的集中检测,并做好数据审核和信息传输工作。 第二十条农业部耕地质量监测机构根据耕地土壤类型、种植制度和质量水平在全国布设国家耕地质量监测点。地方耕地质量监测机构根据需要布设本行政区域耕地质量监测点。 耕地质量监测点主要在粮食生产功能区、重要农产品生产保护区、耕地土壤污染区等区域布设,统一标识,建档立案。根据实际需要,可增加土壤墒情、肥料效应和产地环境等监测内容。

通知还明确,为加快启动国内太阳能光电建筑应用市场,进一步提升太阳能光电建筑应用水平,2012年光电建筑应用政策将向绿色生态城区倾斜,向一体化程度高的项目倾斜。

此外,示范项目应采用性能先进的光伏组件产品,其中:晶体硅光伏组件全光照面积的光电转换效率以含组件边框面积计算转换效率不得低于14%,输出功率衰减率2年内不高于5%、10年内不高于10%、25年内不高于15%;非晶硅组件全光照面积的光电转换效率以含组件边框面积计算转换效率不得低于6%,输出功率衰减率2年内不高于4%、10年内不高于10%、25年内不高于20%。

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